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首頁(yè)-成功案例-25年04月03日河南半導(dǎo)體電感耦合等離子體光譜儀Agilent ICP-OES 5110,分析痕量元素

25年04月03日河南半導(dǎo)體電感耦合等離子體光譜儀Agilent ICP-OES 5110,分析痕量元素

發(fā)布時(shí)間:2025-4-7

合作伙伴:河南某半導(dǎo)體材料行業(yè)

儀器類(lèi)型:電感耦合等離子體光譜儀

品牌:安捷倫

型號(hào):ICP-OES 5110

2025年04月03日, 河南某半導(dǎo)體材料行業(yè)客戶成功采購(gòu)我司電感耦合等離子體光譜儀安捷倫/Agilent 5110VDV ICP-OES儀器!從設(shè)備安裝到參數(shù)調(diào)試全程專(zhuān)業(yè)護(hù)航,更為客戶團(tuán)隊(duì)提供定制化操作培訓(xùn)。感恩客戶對(duì)我司技術(shù)實(shí)力的信賴(lài)與認(rèn)可!

 

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在半導(dǎo)體材料行業(yè)中,安捷倫Agilent  ICP-OES 5110儀器具有廣泛的應(yīng)用,以下是其在該行業(yè)的應(yīng)用、技術(shù)規(guī)格以及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)信息:

應(yīng)用場(chǎng)景

半導(dǎo)體制造:Agilent  ICP-OES 5110可用于監(jiān)測(cè)清洗和蝕刻硅片過(guò)程中使用的化學(xué)品中的痕量污染物。這對(duì)于確保半導(dǎo)體制造過(guò)程中的純度和質(zhì)量至關(guān)重要,因?yàn)榧词故俏⒘康碾s質(zhì)也可能影響半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。

晶圓加工:該儀器還可用于監(jiān)測(cè)晶圓/IC制造過(guò)程中使用的化學(xué)品中的污染物。這有助于及時(shí)發(fā)現(xiàn)并控制可能影響半導(dǎo)體制造質(zhì)量的雜質(zhì),從而提高產(chǎn)品的良品率。

金屬污染評(píng)估:Agilent 5110 VDV ICP-OES能夠評(píng)估硅片襯底及用于硅的相關(guān)層和涂層中的金屬污染。這對(duì)于半導(dǎo)體材料的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量控制具有重要意義,因?yàn)榻饘傥廴究赡軙?huì)影響半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

納米顆粒分析:該儀器還可以用于化學(xué)品以及晶圓加工和清潔浴槽中的金屬納米顆粒(NP)分析。這對(duì)于研究和控制納米顆粒在半導(dǎo)體制造過(guò)程中的分布和影響具有重要作用。


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Agilent  ICP-OES 5110 技術(shù)規(guī)格

垂直雙向觀測(cè)(VDV):Agilent  ICP-OES 5110采用垂直雙向觀測(cè)技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)更高的測(cè)量通量和分析效率。這種設(shè)計(jì)使得儀器在測(cè)量包括高基質(zhì)和揮發(fā)性有機(jī)溶劑在內(nèi)的復(fù)雜樣品時(shí)具有更好的性能。

固態(tài)RF發(fā)生器系統(tǒng):該儀器配備了穩(wěn)定的固態(tài)RF發(fā)生器系統(tǒng),可以提供穩(wěn)定的等離子體,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定的分析性能。這對(duì)于半導(dǎo)體材料分析中對(duì)高精度和高重復(fù)性的要求非常重要。

檢測(cè)器冷卻:檢測(cè)器采用半導(dǎo)體制冷,溫度可達(dá)-40℃,暗電流和背景噪聲低。這種設(shè)計(jì)提高了檢測(cè)器的靈敏度和穩(wěn)定性,從而提高了分析結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

多重檢量限(Multical)功能:儀器具有多重檢量限功能,可以根據(jù)不同的元素含量范圍選擇不同的譜線,使儀器能夠同時(shí)測(cè)定高低含量的元素,擴(kuò)展了儀器的動(dòng)態(tài)線性范圍。

長(zhǎng)期穩(wěn)定性:Agilent  ICP-OES 5110具有良好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性,8小時(shí)內(nèi)RSD≤1%,短期穩(wěn)定性RSD≤0.5%。這種穩(wěn)定性對(duì)于半導(dǎo)體材料的長(zhǎng)期分析和質(zhì)量控制至關(guān)重要。


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行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體材料分析標(biāo)準(zhǔn):在半導(dǎo)體材料行業(yè)中,ICP-OES儀器通常需要符合相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),如SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)元素的檢測(cè)限、準(zhǔn)確度和精密度等要求。

檢測(cè)限和靈敏度:對(duì)于半導(dǎo)體材料中的痕量元素分析,ICP-OES儀器需要具備低檢測(cè)限和高靈敏度。Agilent  ICP-OES 5110能夠滿足這些要求,檢測(cè)限一般為幾個(gè)ppb,可測(cè)量的濃度范圍可高達(dá)幾十ppm。

分析效率和速度:半導(dǎo)體制造過(guò)程中對(duì)分析效率和速度有較高要求。Agilent  ICP-OES 5110的垂直雙向觀測(cè)技術(shù)和智能光譜組合(DSC)技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)快速的樣品分析,提高生產(chǎn)效率。


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安捷倫Agilent  ICP-OES 5110儀器憑借其技術(shù)規(guī)格和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,在半導(dǎo)體材料行業(yè)中發(fā)揮著重要作用。它能夠滿足半導(dǎo)體制造過(guò)程中對(duì)高精度、高靈敏度和高效率的分析需求,為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量控制和研發(fā)提供了有力支持。


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