HMDS基片預處理系統(tǒng)-真空鍍膜機

一·應用領(lǐng)域
HMDS基片預處理系統(tǒng)主要適用于硅片、砷化鎵、陶瓷、不銹鋼、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料，為基片在涂膠前改善表面活性，增加光刻膠與基底的粘附力的專用設(shè)備，也可用于晶片其它工藝的清洗，尤其在芯片研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域應用更加普及。

二. 滿足標準
1、GB/T 29251-2012真空干燥箱
2、GB/T 11164-2011真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件
3、JB/T 6922-2015  真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
4、SJ/T 11185-1998 蒸發(fā)鍍膜設(shè)備通用規(guī)范
5、SJ/T 31083-2016 真空鍍膜設(shè)備完好要求和檢查評定方法

三. 應用背景
在半導體（芯片/集成電路）生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠，等現(xiàn)象，導致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。通過HMDS預處理系統(tǒng)預處理后，使基片表面涂布一層硅氧烷為主體的化合物，可以完全改善以上各種狀況，從而大大提高了產(chǎn)品質(zhì)量，降低次品率。

四. 工作原理
設(shè)備為PLC工控全自動運行，通過高溫烘烤基片，去除其表面的水分，充入HMDS（六甲基二硅氮烷C6H19NSi2）氣體，在高溫作用下，基片表面和HMDS充分融合反應，生成以硅氧烷為主體的化合物，使基片表面由親水變?yōu)槭杷涫杷珊芎玫嘏c光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。

五. 使用流程
啟動真空泵使腔體內(nèi)達到設(shè)定真空值，待腔內(nèi)真空度達到某一高真空后，開始沖入氮氣，然后再進行真空操作，再次充入氮氣，經(jīng)過反復真空充氮，可提高箱體內(nèi)潔凈度，開始保持一段時間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分，然后再次開始抽真空，沖入HMDS氣體，在達到設(shè)定時間后停止充入，進入保持階段，使硅片充分與HMDS反應。當保持時間達到設(shè)定值后，再次開始抽真空，沖入氮氣，完成整個作業(yè)過程。

六．技術(shù)參數(shù)

HMDS基片預處理系統(tǒng)-真空鍍膜機

七·產(chǎn)品亮點
1、控制采用PLC工控自動化系統(tǒng)，人機界面采用觸摸屏，具有可靠性高，操作方便、直觀等特點.
2、超大觀測窗，外層采用透光度99%的亞克力板，內(nèi)層采用高強度鋼化玻璃，全程可視化監(jiān)測。
3、內(nèi)膽采用防腐防酸堿不銹鋼，四角圓弧設(shè)計，易清潔。
4、去水烘烤和增粘（疏水）處理一機完成，無需轉(zhuǎn)移，有效規(guī)避HMDS（六甲基二硅氮烷C6H19NSi2）泄露的危險。
5、處理更加均勻。由于它是以蒸汽的形式涂布到基片表面上，所以比液態(tài)涂布更均勻。
6、效率高。液態(tài)涂布是單片操作，而本系統(tǒng)一次可以處理多達4~20盒的晶片。
7、更加節(jié)省藥液。以蒸汽的形式涂布到晶片表面上，一次可以處理多達4~20盒的晶片，更加節(jié)省藥液； 
8、更加環(huán)保和安全，HMDS是有毒化學藥品，人吸入后會出現(xiàn)反胃、嘔吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等，由于整個過程是在密閉的環(huán)境下完成的，所以人接觸不到藥液及其蒸汽，也就更加安全，它的尾氣是直接由機械泵抽到尾氣處理機，降低對環(huán)境的污染。

                             
 
八.安全保護
1、超溫報警   2、過流過載保護    3、快速熔斷器    4、接地保護    5、缺相保護    6、漏電保護器    

九· 特別注意
1、HMDS基片預處理系統(tǒng)測試條件：空載、無強磁、無震動、環(huán)境溫度20℃、環(huán)境相對濕度50%RH。
2、本公司可根據(jù)客戶不同需要，設(shè)計，制造各種相關(guān)溫度、濕度、真空度、潔凈度、氣體濃度等參數(shù)的箱體設(shè)備。